News Business ¡Adiós a las Barreras! GaN Revoluciona los Dispositivos de Potencia
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Carburo de silicio

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¡Adiós a las Barreras! GaN Revoluciona los Dispositivos de Potencia

Por Denis Marcon, Director General de Innoscience Europe

Fecha de publicación: 6 de marzo de 2024

Introducción

Los dispositivos de potencia basados en nitruro de galio (GaN) han despejado el camino hacia una nueva era de eficiencia y compacidad. En este artículo, exploraremos cómo el GaN está transformando la industria y superando las preocupaciones tradicionales.

¿Por qué GaN?

El GaN ofrece ventajas significativas:

  • Sin corriente de recuperación inversa: Esto permite arquitecturas más sencillas en aplicaciones como corrección del factor de potencia (PFC).
  • Mayor frecuencia de operación: El GaN puede funcionar a frecuencias más altas que el silicio, lo que reduce el tamaño de los componentes pasivos.
  • Resistencia en conducción: El GaN tiene una resistencia en conducción mucho más alta que el silicio, lo que se traduce en dispositivos más compactos.
  • Factor de mérito mejorado: El GaN ofrece una eficiencia excepcional gracias a su factor de mérito (Ron x Qg) 10 veces mejor que el silicio.

Aplicaciones en Auge

El GaN está revolucionando diversas áreas:

  • Consumo: Cargadores USB más pequeños y eficientes para dispositivos portátiles.
  • Industria: Control de motores más preciso y eficiente.
  • Energías renovables: Inversores fotovoltaicos compactos.
  • Comunicaciones: Conversión eficiente desde el bus de 48V en servidores.
  • Automoción: Control de láser LIDAR y cargadores más ligeros.

El Futuro del GaN

El mercado actual del GaN es próspero, y las preocupaciones sobre precio y disponibilidad se han disipado. Innoscience lidera la vanguardia con dispositivos de 650V que ofrecen un rendimiento excepcional[^1^][1].

En resumen, el GaN es la clave para disminuir el tamaño, aumentar la eficiencia y reducir costos en sistemas de conversión de potencia. ¡La era del GaN ha llegado!

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